Тайминги оперативной памяти

Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти.

Тайминги состоят из группы цифр.

На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка.

Что такое CL тайминг вы узнаете по ходу статьи.

В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели.

Любая оперативная память DDR (1,2,3,4) имеет одинаковые принципы работы.

Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги.

Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память.

Чем отличаются модули памяти?

Многие пользователи думают, что DDR400 всегда на много быстрее, чем DDR333.
В общем, это правда, но далеко не все знают, что модули с одинаковой частотой DDR могут сильно отличаться по производительности.
В первую очередь, производительность модулей памяти зависит от так называемых «таймингов памяти».

Существует множество различных параметров, которые задают тайминги памяти, но чаще всего используются четыре из них: CAS Latency, RAS-CAS задержка (tRCD), RAS Precharge (tRP) и tRAS (продолжительность цикла).

Если вы увидите на модулях обозначения: 2.0-2-2-5 или 3.0-4-4-7, можете не сомневаться, это упомянутые четыре параметра.
Выясним, что представляет собой каждый из них.

1.CAS Latency (СL) — это задержка в тактах между получением команды чтения и окончанием ее выполнения.

Одна из важнейших задержек (таймингов). От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти. Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее. CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных. На рисунке ниже вы видите пример с CL=3 и CL=5.​Стандартные значения для памяти DDR — 2 и 2,5 такта.

В результате память с CL=3 на 40% быстрее выдаёт запрашиваемые данные.

В некоторых системах возможны значения 3 или 1,5.
Например, CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read.

2. Задержка RAS-CAS известна как tRCD.
Это задержка в тактах между получением команды Active и выполнением следующей за ней команды Read или Write (чтения или записи).
Обычно, это 2, 3 или 4 такта.

3. RAS Precharge.
Это задержка в тактовых циклах с момента получения команды Precharge до возможности выполнения следующей за ней команды Active.
Обычные значения для этого параметра 2, 3 или 4 такта.

4. tRAS отображает минимальную задержку между командами Active и Precharge.
Измеряется тоже в тактах и обычно имеет значение от 5 до 10.

Четверку этих параметров, как правило, можно изменять в разделе BIOS «Advanced Chipset», но вполне возможно, что производители вашей материнской платы решили поместить эти настройки куда-нибудь в другой раздел.

Вы уже могли заметить, что это задержки, поэтому, чем меньше значения таймингов, тем выше производительность памяти.
Например, модуль с латентностью CAS 2,5 должен работать лучше, чем с латентностью 3,0 .

Смотрите также топ самых мощных ОЗУ в нашем интернет-магазине PC-ARENA